BCM846BS, BCM847BS

Characteristics

Kennwerte

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverstärkung

200

–

450

Current gain matching – Stromverstärkungs-Abgleich

0.9

1.0

1.1

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung

1)

–

–

–

–

250 mV

600 mV

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

580 mV

–

–

–

700 mV

770 mV

Base-Emitter voltage matching – Abgleich Basis-Emitter-Spannung

–

–

2 mV

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

E open

–

–

15 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom

C open

–

–

100 nA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

100 MHz

–

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

–

–

4.5 pF

Typical thermal resistance junction to ambient (per device)

Typischer Wärmewiderst. Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)

420 K/W

2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1

2

Mounted on P.C. board with 3 mm

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature )

2

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

2