EG2181 datasheet(11/12 Pages) EGMICRO

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屹晶微电子有限公司

EG2181 芯片数据手册 V1.0

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

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从真值表可知，当输入逻辑信号 HIN 为“1”和 LIN 为“0”时，驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开，

LO 为“0”下管关断；当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和 LIN 为“1”时，驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断，

LO 为“1”下管打开；在输入逻辑信号 HIN 和 LIN 同时为“0”或同时为“1”情况下，驱动器控制输出 HO、

LO 为“0”将上、下功率管同时关断；内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相互闭

锁功能。

8.3 自举电路

EG2181 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N

沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。EG2181 可以使用

外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、上管关断期间 C

自举电容已充到足够的电压（Vc=VCC），当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时，VC 自举电容上的电压

将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源，完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。

+600V

自举电容

VCC

EG2181

FR107

外接自举二极管

+12V

LIN

HIN

图 8-3. EG2181 自举电路结构

EG2181 Datasheet(PDF) 11 Page - Jingjing Microelectronics Co., Ltd