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EG8303 Datasheet(PDF) 11 Page - Jingjing Microelectronics Co., Ltd |
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EG8303 Datasheet(HTML) 11 Page - Jingjing Microelectronics Co., Ltd |
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11 / 12 page ![]() 屹晶微电子有限公司 EG8303 芯片数据手册 V1.0 单通道 D 类音频功放 2012 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 10 / 11 铁氧体滤波器可以有效减小 1MHz 以及以上的电磁辐射。在高频率时选择高阻抗的,而在低频率时应选择低 阻抗的磁珠。 8.5 PCB 布线 1 地线: 我们推荐铺地或单点接地。不要用一跟线直接连接功率地与模拟地。输出功率级的噪声电流需要回流 到输出噪声信号地和其他任何地方。这些电流流传到其他地方,很有可能进入电源,信号地等等。更糟糕 的是,它可能形成环而辐射噪声。这些都将导致放大器的性能降低。各个通道 D 类开关噪声电流的回路需 要独立的功率地引脚。输出噪声地线必须单点连接到电源地。输入信号,参考信号等都需要合适的地线回 路,这些地连接到信号元件和地线引脚,然再连接到系统参考地。 2 电源线 和地线相同,VDD 和 PVDD 需要分开走线,到系统供电电源端再相接。推荐所有的走线尽可能的短且紧 凑。 3 器件布局 高频 1uF 的解耦电容应该尽可能的靠近电源引脚(AVDD 或 PVDD)。大电解电容则放置在 EG8303 的 PVDD 引脚附近。输入电阻和电容需要十分靠近输入引脚。为了有最好的 EMI 特性 EMI 滤波器应当尽可能的靠近 输出端,并且,滤波器使用的电容应该连接到功率地。 |
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