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LP35112

高性能副边同步整流驱动芯片

LP35112_CN_DS_Rev.2.0

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关断，LP35112 采用专利的副边续流预判定技术。

通过内部电路处理 AE 脚检测到的反激电压以及

设定的整流管关断电压阈值，能准确地判断同步

整流管的关断。

LP35112 的关断的另外一个充分条件就是当副边

的导通时间超过了副边续流预估判定的比例时间

时，同步整流管也关断。

AE 脚电阻设置

RAE=3.6×SAE

RAE：AE 脚要设置的电阻，单位 KΩ

SAE：根据 AE 电阻设定的伏秒面积，单位 uS*V

怎样设定 SAE

要求输入电压 85~265VAC 且空载时，测试

LP35112 芯片 D 脚对芯片 GND 脚的工作波形，如

下图：

要求（1.2×U2×t2 ）<SAE<（0.9 ×U1×t1）

BE 脚电阻设置

BE 电阻用来设置副边关断的比例。当 AE 脚位和

BE 脚位短路使用时，芯片默认的关断比例为

RAB=87%。当 AE，BE 脚位分开使用时，关断比

例由下列公式计算出：

RAB=87%*RBE/RAE

其中 RBE 为 BE 脚位电阻值，RAE 为 AE 脚位电阻

值，当计算出的 RAB 超过 100%时，按照 100%设

置。

RL 补偿电阻

当输出电压较大（大于 10V），同步整流的预关断

比列随输入电压的变化不明显，AE 脚与 BE 脚可

以连接短路使用。但当输出电压较低（如 Vo=5V），

同步整流的预关断比例随输入电压变化会有明显

的差异；为了使同步整流的预关断比例不随输入

电压变化而有明显的变化，VCC 与 AE 脚之间加

补偿电阻 RL，如下图

LP35112

GND

VCC

DRV

RAE

RBE

RAE、RBE、RL 建议接近值(系统满载频率 65KHz)

Vo（V） Io（A）

RAE

（KΩ）

RBE

（KΩ）

≤6.00

140

＞6.00

130

≤2.50

100

＞2.50

＞1.25

180

＞1.00

270

VCC 外加供电回路

LP35112 的 VCC 是通过内部高压电路供电的；当

外置大的 MOS 管且 Cgs 大于 8nF 时，此时完全靠

内部高压供电电路供电会稍显不足，需用 C1、D1、

D2 构成 VCC 外加供电回路，加强 VCC 供电。通

过外加供电电路，经过芯片内部的供电电流会减

弱些，有利于芯片温升且能提升效率。

C1：取同步整流 MOS 管 Cgs 寄生电容的 1/10；

C1 可以适当调整，尽量使 VCC 工作于 6V

D1、D2：用 4148

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