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LP35116P Datasheet(PDF) 6 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. |
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LP35116P Datasheet(HTML) 6 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. |
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6 / 7 page ![]() LP35116P 高性能副边同步整流驱动芯片 LP35116P_CN_DS_Rev.0.99 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only 同步整流管导通 DCM 工作时,由于电感的激磁作用,当初级芯片 关断时,会产生振荡。为了防止误检测振荡信号, 导致同步整流管的异常开启, LP35116P 采用专 利的整流管开通技术。 当初级芯片关断时,次级 LP35116P 的漏极 D 与 GND 之间的电压迅速下降。 LP35116P 通过检测 D 和 GND 之间的下降电压阈值和下降速率,能准 确的判断同步整流管的开启。 同步整流管关断 为了避免同步整流管导通时,因激磁振荡幅度较 大,导致误检测关断信号,使同步整流管异常的 关断;LP35116P 采用专利的周期追踪技术以及设 定的整流管关断第一电压阈值和第二电压阈值, 能准确地判断同步整流管的关断。 可编程的死区时间设置 LP35116P 的死区时间可以通过 T 脚位外接电阻灵 活设置。当 T 脚位悬空时,无死区时间;当 T 脚 位接电阻时,死区时间设置公式如下: ; R≤150KΩ; 其中 T Det 要设置的死区时间(单位 nS),R 为 T 脚位接的外部电阻(单位 KΩ)。 MOS 管的 DRAIN 与芯片的 D 脚之间电阻取值 MOS 管的 DRAIN 与芯片的 D 脚之间电阻取值:5 Ω~20Ω;增强系统可靠性。 保护功能 LP35116P 集成了 VCC 欠压保护,过压钳位,以 及驱动脚去干扰等技术。 PCB 设计 在设计 LP35116P PCB 时,需要遵循以下指南: 主功率回路走线要短粗; 主功率回路不要包围芯片; DRV 与功率管栅极的连线越短越好; GND 与功率管源极的连线越短越好; VCC 旁路电容紧靠芯片 VCC 管脚和 GND 管脚; T 脚电阻紧靠芯片 T 脚和 GND 管脚; D 引脚的铺铜面积适当大些以提高芯片散热。 |
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