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LP35122 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.

Part # LP35122
Description  High performance subsynchronous synchronous rectifier drive chip
PDF  7 Pages
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Manufacturer  LANDP [Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.]
Direct Link  https://www.chip-hope.com/
Logo LANDP - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.

LP35122 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.

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LP35122
高性能副边同步整流驱动芯片
LP35122_CN_DS_Rev.0.95
www.chip-hope.com
SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only
电气参数(注 4, 5)（无特别说明情况下，V
CC =12 V,TA =25℃）
符号
描述
说明
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压
VCC
VCC 工作电压
D=40V，Other Floating
9
25
V
VCC_ON
VCC 启动电压
VCC 上升
8.5
V
VCC_UVLO
VCC 欠压保护阈值
VCC 下降
6.7
V
IST
VCC 启动电流
VCC= VCC-ON - 0.5V
120
uA
Icc
VCC 工作电流
300
uA
阈值电压设置
VON
整流管开通电压阈值
-0.2
V
VOFF1
整流管第一关断阈值
快速比较器
-5
mV
Tb1
快速比较器屏蔽时间
3.0
us
Td1
快速比较器响应时间
10
ns
Td
总关断延迟
Cg=5nF
30
ns
VOFF2
整流管第二关断阈值
慢速比较器
-5
mV
Tb2
慢速比较器屏蔽时间
1.3
us
判定设置
TDEAD
整流管最小死区时间
700
ns
驱动能力
Vgate
Gate 驱动电压
11
13
V
TRISE
驱动上升时间
Cg=5nF
40
ns
TFALL
驱动下降时间
Cg=5nF
20
ns
注 4：典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。
注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。



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