FMS6363 datasheet(2/8 Pages) HMSEMI

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技术指标规范

RL=150Ω连接到地，Vin=1Vpp，Cin=0.1uF，所有输出通过 220uF 电容交流耦合输出，除非另有说明。

典型

最小/最大温度变化

参数

测试条件

+25℃ +25℃ 0℃至 70

℃

-40℃

至 85℃

-40℃

至 125℃

单位

最大/

最小

输入特性

输出电平偏移电压

输入偏置电流(Ib)

输入箝位电压（Vclp）

箝位充电电流

输入电阻（Rin）

电压增益（Av）

Vin=0V，无负载

Iin= -1mA

Vin=Vclp-100mV

0.5V<Vin<1.0V

RL=150

235

-4.5

-5

327

-15

-6.0

1.92

2.04

330

-16

-6.1

1.90

2.06

340

-19

-6.6

1.88

2.08

370

-22

-7.2

1.85

2.1

MΩ

V/V

最大值

典型值

最小值

最大值

输出特性

输出电压摆幅

输出短路电流

Vin=3V，RL=150Ω

Vin=3V 通过 10Ω接地

Vin=0.1V,输出通过 10

Ω接于电源

4.5

-105

115

4.3

-102

103

4.28

4.25

4.2

最小值

最大值

最小值

供电电压

工作电压范围

电源电压抑制比

静态电流

Vs=+2.7 至+5.5V

Vin=500mV

27.5

2.5

5.5

31.5

2.7

5.5

2.7

5.5

2.7

5.5

最小值

最大值

最小值

最大值

动态性能

±0.1Db 增益带宽

-3Db 带宽

滤波响应（正常增益

下）

压摆率

微分增益（DG）

微分相位（DP）

群延时变化

串扰（通道—通道）

上升时间

下降时间

Rl=150Ω

Fin=44.25MHz

Fin=74.25MHz

Vin=1V 步进，20%至 80%

NTSC & PAL DC

NTSC & PAL AC

NTSC & PAL DC

NTSC & PAL AC

f = 400KHz, 26.5MHz

在 1MHz 处

2.0V 步进，80%--20%

11.8

-5.0

-13.5

160

0.02

0.3

0.02

0.36

1.2

-64

9.8

10.5

MHz

V/us

典型值

FMS6363

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

FMS6363 Datasheet(PDF) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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