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Semiconductor Corporation
Fo r tun e
富晶半 導體股 份有限 公司
富晶半导体股份有限公司
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FS9721_LP3
4,000 格 数字多用电表专用集成电路
13.2 FS9721_LP3(图 6、图 7）组件表
代号
规格
代号
规格
代号
规格
代号
规格
代号
规格
R1
100kΩ
R14
22kΩ
R27
100kΩ
C9
27nF
D4
接收
R2
1MΩ
R15
100kΩ
R28
0.01Ω
C10
0.47μF
D6, D5
稳压管
R3
200kΩ
R16
9.99Ω
R29
1MΩ
C11
4.7μF
Q1
9013
R4
100kΩ
R17
990Ω
R30
1kΩ
C12
27nF
Q2
9013
R5
220Ω
R18
100kΩ
R31
1kΩ
C13
27nF
Q3
9013
R6
20kΩ
R19
900kΩ
C1
10μF
C14
47nF
VR1
10kΩ
R7
10kΩ
R20
100kΩ
C2
10μF
C15
10μF
VR2
2kΩ
R8
40kΩ
R21
57.4kΩ
C3
10μF
C16
0.1μF
LCD
LCD
R9
90kΩ
R22
1kΩ
C4
10μF
C17
0.1μF
XTAL
4MHz
R10
500kΩ
R23
10kΩ
C5
10μF
C18
0.1μF
IC
FS9721_LP3
R11
100kΩ
R24
101.010kΩ
C6
10nF
D1
1N914
BT1
3V
R12
22kΩ
R25
1.111MΩ
C7
27nF
D2
1N914
BP1
BEEPER
R13
28.5kΩ
R26
10MΩ
C8
0.47μF
D3
发射
PTC
1kΩ
注：电路总图及组件表中电阻、电容等组件的精度，功率，耐压等技术指标，要根据自己的实际需要
而定。
13.3 电源系统
VB为IC内部偏置电压输入点，R4的增加会减小IC内
部电流的消耗，但偏置电压不够会影响交流测量的输入
范围。
AGND是模拟接地点，其电位相当于电池电压的中点。
该点电位是由IC内部产生的，不可与电池的中点相连。
C4和C5一方面作旁路电容，另一方面可使AGND对VDD
和VSS稳定。 C2是电荷泵电容，IC将VDD电压通过C2充
放电使VGG提高到约为VDD电压的2倍。
VDDA是IC 内部将VGG经稳压后输出的电压，相对于
VSS约为3.9V。
REFO为IC内部的带隙基准电源，相对于AGND约为
1.2V，有100ppm/℃的稳定度。
C4
10¦ÌF
C2
10¦ÌF
C1
10¦ÌF
C5
10¦ÌF
C3
10¦ÌF
3V
BT1
REFI
REFO
VDDA
VB
VGG
CA
CB
VDD
AGND
VSS FS9721_LP3
R8
40k
R6
20k
R3
200k
R4
100k
VR1
10k
RLCD
C16
0.1¦ÌF
图5
电源电路
VGG
VDDA
RLCD
VDD
REFO
REFI
AGND
VSS
FS9721_LP3
0.4V
1.2V
1.5V
3V
3.9V
2*VDD
1.5V
图6 各点相对电压
S1
3V
BT1
VDD
AGND
VSS
FS9721_LP3
C5
10¦ÌF
C4
10¦ÌF
图7
电源开/关电路
注意: 为了避免FS9721_LP3在迅速关机又开机时
出现“死机”现象，电源在关机状态，一定要使C4和C5
放电。所以在关机时，S1要接到VSS。
13.4 供电电路
用户的不同应用，供电的方式也不同，当在某
些测量时，所用运算放大器，霍尔组件等传感器要
求电压较高，3V 供电有困难，则可以参考以下的一
些供电方法。
VDD
VSS
AGND
FS9721_LP3
3V
10¦ÌF
10¦ÌF
图 8
3V 电源供电
VDD
VSS
AGND
FS9721_LP3
10¦ÌF
10¦ÌF
10¦ÌF
4.5V
V+
V-
图 9
4.5V 电源供电
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