HM5401 datasheet(6/8 Pages) HMSEMI

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10. 工作说明

10.1. 正常工作状态

此

IC 持续侦测连接在 VDD 和 VSS 之间的电池电压，来控制充电平衡动作。当电池电压

在过充电检测电压（

VCU）以上时，OUT 端子输出低电平以控制 P-MOSFET 或者输出高电平

以控制

N-MOSFET 的导通；或当电池电压在过充电释放电压（VCR）以下时，OUT 端子输

出高电平以控制

P-MOSFET 或者输出低电平以控制 N-MOSFET 的关闭。

10.2. 过充电状态

正常工作状态下的电池，在充电过程中，一旦电池电压超过过充电检测电压（

VCU），并

且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时间（

TOC）以上时；或当电池电压低於过充释放

电压（

VCR）以下时，

系列

IC 会开启或关闭充电平衡控制用的 MOSFET（OUT 端

子）

，这个状态称为“过充电状态”亦称为“充电平衡控制”。

过充电状态启用的充电平衡控制对于

MOSFET 的开启与关闭控制有如下两种选择：

（

1）选用

-xxxA 系列，采用 N-MOSFET 作为充电平衡控制

(a) 充电过程中，电池电压超过过充电检测电压（VCU），并持续的时间超过过充电

检测延迟时间（

TOC）以上时，OUT 端子电平会产生 LH 变化以打开

N-MOSFET。

(b) 充电过程中，电池电压低于过充释放测电压（VCR），OUT 端子电平会产生 HL

变化以关闭

N-MOSFET。

（

2）选用

-xxxB 系列，采用 P-MOSFET 作为充电平衡控制

(a) 充电过程中，电池电压超过过充电检测电压（VCU），并持续的时间超过过充电

检测延迟时间（

TOC）以上时，OUT 端子电平会产生 HL 变化以打开

P-MOSFET。

(b) 充电过程中，电池电压低于过充释放测电压（VCR），OUT 端子电平会产生 LH

变化以关闭

P-MOSFET。

10.3. 待机状态

正常工作状态下的电池，在放电过程中，当电池电压降低到待机检测电压（

VSB）以下时，

使

IC 耗电流减小到待机时的耗电流值，这个状态称为“休眠状态”。当电池电压降低到待机

检测电压（

VSB）以下时，使 IC 耗电流减小到待机时的耗电流值，这个状态称为“待机状态”。

1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC

HM5401 Datasheet(PDF) 6 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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