佛 山

市 蓝 箭 电 子 股 份 有 限 公 司

FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.

BRF8N60(CS8N60F)

N-Channel MOSFET/N 沟 MOS 晶体管

用途:用于高效 DC/DC 转换和功率开关。

Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters

and switch mode power supplies.

特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。

Features: Low gate charge, low crss, fast switching.

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

BV

DSS

V

GS=0V

I

D=250μA

600

V

V

DS=600V

V

GS=0V

1.0

μA

I

DSS

V

DS=480V

T

C=125℃

10

μA

I

GSS

V

GS=±30V

V

DS=0V

±0.1

μA

V

GS(th)

V

DS=VGS

I

D=250μA

2.0

4.0

V

R

DS(on)

V

GS=10V

I

D=3.75A

1.0

1.2

Ω

g

FS

V

DS=40V

I

D=3.75A

8.7

S

V

SD

V

GS=0V

I

S=7.5A

1.4

V

C

iss

965

1255

C

oss

105

135

C

rss

V

DS=25V

V

GS=0V

f=1.0MHz

12

16

pF

t

d(on)

16.5

45

t

r

60.5

130

t

d(off)

81

170

t

f

V

DD=300V

I

D=7.5A

R

G=25Ω

64.5

140

ns

参数符号

Symbol

数值

Rating

单位

Unit

V

DSS

600

V

I

D(Tc=25℃)

7.5

A

I

D(Tc=100℃)

4.6

A

I

DM

30

A

V

GSS

±30

V

E

AS

230

mJ

E

AR

10

mJ

I

AR

7.5

A

P

D(Tc=25℃)

48

W

T

J,TSTG

-55 to 150

℃