JCS70N30ABC-GD-B datasheet(4/10 Pages) JSMC

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JCS70N30C

版本：202205B

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=150V,ID=70A,RG=25Ω，

VGS =10V

（note 4，5）

80.8

上升时间 Turn-On rise time

227.2

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

327.8

下降时间 Turn-Off Fall time

191.6

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =240V ,

ID=70A

VGS =10V （note 4，5）

115.1

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

28.56

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

54.25

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

280

正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V,

IS=70.0A

1.4

反向恢复电流

Reverse Recovery Current

IRRM

VGS=0V,

IS=30A

dIF

/dt=100A/μs (note 4)

22.36

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

245.2

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

2677.8

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大

Max

单位

Unit

JCS70N30WC/ABC

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

0.165

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

62.5

℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=2.5mH, IAS=70A, VDD=50V, RG

=25 Ω, 起始结温

TJ=25℃

3：ISD

≤70A, di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,占空比≤2％ ,受测试设

备限制。

5：基本与工作温度无关

Notes:

1： Pulse width limited by maximum junction temperature

2：L=2.5mH, IAS=70A, VDD=50V, RG

=25 Ω,Starting TJ=25℃

3：ISD

≤70A, di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width

≤300μs,Duty Cycle≤2％,

limited by equipment.

5：Essentially independent of operating temperature

JCS70N30ABC-GD-B Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS70N30ABC-GD-B Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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