JCS830 datasheet(4/14 Pages) JSMC

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JCS830

版本：201007A

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间

Turn-On delay time

td(on)

15 40

上升时间

Turn-On rise time

40 90

延迟时间

Turn-Off delay time

td(off)

85 180

下降时间

Turn-Off Fall time

VDD=250V,ID=4.5A,RG=25Ω

（

note 4，5）

45 100

栅极电荷总量

Total Gate Charge

32 44

栅－源电荷

Gate-Source charge

Qgs

3.7

栅－漏电荷

Gate-Drain charge

Qgd

VDS =400V ,

ID=4.5A

VGS =10V

（

note 4，5）

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

4.5

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V,

IS=4.5A

1.4

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

305

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

VGS=0V, IS=4.5A

dIF/dt=100A/μs

(note 4)

2.6

μC

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

最大

Max

项

目

Parameter

符

号

Symbol

JCS830V/R JCS830S/B/C JCS830F

单

位

Unit

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

2.05

1.71

3.31

℃

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

110

62.5

℃

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=24mH, IAS=4.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结

温

TJ=25℃

3：ISD ≤4.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction

temperature

2：L=24mH, IAS=4.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3：ISD ≤4.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

JCS830 Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS830 Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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