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P25B6EB Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # P25B6EB
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P25B6EB Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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hi
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co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（MOSFET〈2012.06〉）
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率 − ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
０
２０
５０
４０
３０
１０
０
０.５
１２
３
１.５
２.５
Pulse measurement
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
出力特性
Typical Output Characteristics
VGS=１０V
８V
６V
VVGS
GS
==４
４VV
VGS=４V
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ=１００℃
Ｔｃ=２５℃
Ｔｃ=−５５℃
伝達特性
Transfer Characteristics
０２
４
１０
６
８
Pulse measurement
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
VDS=１０V
TYP
０
２０
５０
４０
３０
１０
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
１００
１０
１
５０
１０
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
Drain Current ID〔A〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 − ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
１００
５
１０
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
Pulse measurement
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
IIDD==１２.５
１２.５A
A
ID=１２.５A
−５５
０
１００
１５０
５０
ゲートしきい値電圧 − ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
３
２.５
４
３.５
０
２
１.５
１
０.５
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
Pulse measurement
Case Temperature Tc〔℃〕
安全動作領域
Safe Operating Area
１０
２００
１００
７０
２５
５０
０．
０１
０．
１
１
１
０．
１
６０
１０
Tc＝２５℃
Single pulse
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
０.０１
１
０.１
１０−４
１０−５
１０−３
１０−２
１０−１
１００
１０１
Time t〔s〕
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
ゲートチャージ特性
０
５０
４０
３０
２０
１０
Gate Charge Characteristics
０５
１０
２０
２５
１５
ID=２５A
TYP
Total Gate Charge Qg〔nC〕
VDD=４８Ｖ
２４Ｖ
単発アバランシェエネルギー減少率 − チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
１００００
１０００
１００
１０
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
０
２０
６０
４０
５０
３０
１０
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
TC=２５℃
TYP
０
１６
２０
１２
８
４
Power Dissipation
Power Dissipation
Limited
Limited
Power Dissipation
Limited
RRDS（
DS（on
on）Limited
Limited
（
（at VGS
VGS=10V
=10V）
）
RDS（on）Limited
（at VGS=10V）
P25B6EB
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.



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