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AN4354

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DocID025239 Rev 2

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1

Gate driving circuitry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1

Advantages of constant current driving of the MOSFET gates . . . . . . . . . 5

1.2

Turn-on sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.3

Turn-off sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2

Gate drivers setup . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.1

Gate current (IGATE), controlled current time (TCC) and turn-off boost

time (TBOOST) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.2

Deadtime (TDT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.3

Blanking time (TBLANK) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.4

Wrong setup issues . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13