Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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01.11.2003

General Purpose Transistors

BC 546 ... BC 549

Characteristics, T

Kennwerte, T

Min.

Typ.

Max.

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung

I

V

CEsat

–

80 mV

200 mV

I

V

CEsat

–

200 mV

600 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

I

V

BEsat

–

700 mV

–

I

V

BEsat

–

900 mV

–

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

V

V

BE

580 mV

660 mV

700 mV

V

V

BE

–

–

720 mV

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

V

BC 546

I

CES

–

0.2 nA

15 nA

V

BC 547

I

CES

–

0.2 nA

15 nA

V

BC 548

I

CES

–

0.2 nA

15 nA

V

BC 549

I

CES

–

0.2 nA

15 nA

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

V

BC 546

I

CES

––

4

V

BC 547

I

CES

––

4

V

BC 548

I

CES

––

4

V

BC 549

I

CES

––

4

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V

f

T

–

300 MHz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V

C

CB0

–

3.5 pF

6 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

V

C

EB0

–

9 pF

–

Noise figure – Rauschmaß

V

BC 547

F

–

2 dB

10 dB

R

BC 548

F

–

1.2 dB

4 dB

BC 549

F

–

1.2 dB

4 dB

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC 556 ... BC 559

Available current gain groups per type

Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ

BC 546A

BC 547A

BC 548A

BC 546B

BC 547B

BC 548B

BC 549B

BC 547C

BC 548C

BC 549C