Montage auf Leiterplatte mit 3 mm

18

1

2

3

Type

Code

2

±0.1

0.9

±0.1

4

65

6.5

6.5

2.4

BC856S ... BC858S

General Purpose Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2004-04-09

Dimensions / Maße in mm

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

Plastic case

SOT-363

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

6 = C1

5 = B2

4 = E2

1 = E1

2 = B1

3 = C2

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

BC856S

BC857S

BC858S

Collector-Emitter-voltage

B open

- V

CE0

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage

E open

- V

CB0

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

C open

- V

EB0

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

310 mW

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I

C

100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

- I

CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

- I

BM

200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

I

EM

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T

j

150

/C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 65…+ 150

/C

Characteristics (T

Kennwerte (T

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V

- V

h

FE

h

FE

typ. 90 ... 270

110 ... 800

h-Parameters at - V

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h

fe

typ. 220 ... 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

h

ie

1.6 ... 15 k

S

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h

oe

18 ... 110

:S

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h

re

typ.1.5 ... 3 *10

-4