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3DD4241R-O-R-N-B Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Part # 3DD4241R-O-R-N-B
Description  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  6 Pages
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Manufacturer  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Direct Link  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DD4241R-O-R-N-B Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3DD4241T/M/R
版本：
201512F
2/6
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到环境的热阻
TO-92
Thermal Resistance Junction Ambient
Rth(j-a)
-
125
/W
℃
结到管壳的热阻
DPAK
Thermal Resistance Junction Case
Rth(j-c)
-
12.5
/W
℃
结到管壳的热阻
TO-126
Thermal Resistance Junction Case
Rth(j-c)
-
6.25
/W
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES
700
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
400
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
1.2
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
2.4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PC
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation ( DPAK )
PC
10
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
PC
20
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
Ic=10mA,IB=0
400
440
-
V
V(BR)CBO
Ic=1mA,IE=0
700
780
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,Ic=0
9
15
-
V
ICBO
VCB=700V, IE=0
-
-
5
μA
ICEO
VCE=400V,IB=0
-
-
10
μA
IEBO
VEB=7V, IC=0
-
-
5
μA
VCE=10V, IC=100mA
19
22
25
-
hFE
VCE=5V, IC=1.0A
4.0
7.5
-
-
VCE(sat)
IC=0.5A, IB=100mA
-
0.3
0.8
V
VBE(sat)
IC=0.5A, IB=100mA
-
1.0
1.2
V
tf
-
-
0.7
μS
ts
VCC=24V IC=0.1A,IB1=-IB2=0.02A
-
-
5
μS
fT
VCE=10V, Ic=0.1A
4
-
-
MHz



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