JCS9N50C datasheet(4/12 Pages) JSMC

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JCS9N50C

版本：201510B

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=250V,ID=9A,RG=25Ω

（note 4，5）

上升时间 Turn-On rise time

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

101 134

下降时间 Turn-Off Fall time

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =400V ,

ID=9A

VGS =10V

（note 4，5）

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

4.3

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V,

IS=9A

1.4

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V, IS=9A

dIF/dt=100A/μs

(note 4)

331

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

2.92

μC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大

Max

单

位

Unit

JCS9N50VC/RC JCS9N50CC JCS9N50FC

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

2.1

0.96

2.8

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

62．5

62.5

℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=8.2mH, IAS=9A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始结温

TJ=25℃

3：ISD ≤9A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction

temperature

2：L=8.2mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3：ISD ≤9A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

JCS9N50C Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS9N50C Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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