JCS65N20T datasheet(4/8 Pages) JSMC

4 / 8 page

JCS65N20T

版本：201510C

4/8

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=100V,ID=65A,RG=25Ω

VGS =10V

（note 4，5）

112

上升时间 Turn-On rise time

408 500

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

270 550

下降时间 Turn-Off Fall time

240 490

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =160V ,

ID=65A

VGS =10V

（note 4，5）

120 140

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

24.6

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

63.6

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

260

正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V,

IS=65A

1.5

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V, IS=65A

dIF/dt=100A/μs

(note 4)

175

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

1.23

μC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大 Max

单

位

Unit

JCS65N20ABT

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

0.35

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

62.5

℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=0.5mH, IAS=65A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始

结温 TJ=25℃

3：ISD ≤65A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction

temperature

2：L=0.5mH, IAS=65A VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3：ISD ≤65A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

JCS65N20T Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS65N20T Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8

Datasheet Download

Link URL