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TechnischeInformation/TechnicalInformation

DF150R12RT4

IGBT-Module

IGBT-modules

preparedby:MK

approvedby:WR

dateofpublication:2013-11-05

revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.



4,0

 kV

MaterialModulgrundplatte

Materialofmodulebaseplate







Cu

 

InnereIsolation

Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140)





 

Kriechstrecke

Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal





17,0

20,0

 mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal





17,0

9,5

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex



CTI



> 200

 

min.

typ.

max.

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proModul/permodule



0,05

K/W

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule





30



nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-

Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip



0,65



m

Ω

Lagertemperatur

Storagetemperature



-40



125

°C

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage

Mountingtorqueformodulmounting

SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift

ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M

3,00

-

5,00

Nm

Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse

Terminalconnectiontorque

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift

ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M

2,5

-

5,0

Nm

Gewicht

Weight



G



160



g

Power Cycling Zuverlässigkeit bei Tvjop=125°C:

- entspricht gültiger Spezifikation für Standard Module bei Tvjmax=125°C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K

Power Cycling Capability at Tvjop=125°C:

- according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125°C; 300.000 cycles @ dTj=50K