DF150R12RT4_13 datasheet(7/10 Pages) INFINEON

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

DF150R12RT4

IGBT-Module

IGBT-modules

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approvedby:WR

dateofpublication:2013-11-05

revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)

switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)

Eon=f(RG),Eoff=f(RG)

VGE=±15V,IC=150A,VCE=600V

RG [

Ω]

Eon, Tvj = 125°C

Eoff, Tvj = 125°C

Eon, Tvj = 150°C

Eoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper

transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper

ZthJC=f(t)

t [s]

0,001

0,01

0,1

0,001

0,01

0,1

ZthJC : IGBT

ri[K/W]:

τi[s]:

0,0114

0,01

0,0627

0,02

0,0608

0,05

0,0551

0,1

DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch)

forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)

IF=f(VF)

VF [V]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

120

150

180

210

240

270

300

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch)

switchinglossesDiode-Chopper(typical)

Erec=f(IF)

RGon=1.1

Ω,VCE=600V

IF [A]

120 150 180 210 240 270 300

Erec, Tvj = 125°C

Erec, Tvj = 150°C

DF150R12RT4 Datasheet(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG

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