2016/10/28

p.2

EMB55N03JS

 

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 

PARAMETER 

SYMBOL

TEST CONDITIONS 

LIMITS 

UNIT

MIN  TYP

MAX

STATIC 

Drain‐Source Breakdown Voltage 

V(BR)DSS 

VGS = 0V, ID = 250A 

30  

 

V 

Gate Threshold Voltage 

VGS(th) 

VDS = VGS, ID = 250A 

1 

1.5

3 

Gate‐Body Leakage 

IGSS 

VDS = 0V, VGS = ±20V  

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current 

IDSS 

VDS = 24V, VGS = 0V  

 

1 

A

VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  

 

10 

On‐State Drain Current

1 

ID(ON) 

VDS = 5V, VGS = 10V 

3.5  

 

A 

Drain‐Source On‐State Resistance

1 

RDS(ON) 

VGS = 10V, ID = 3.5A  

45

55 

mΩ

VGS = 4.5V, ID = 2A  

65

85 

Forward Transconductance

1 

gfs 

VDS = 5V, ID = 3.5A  

5  

S 

DYNAMIC 

Input Capacitance 

Ciss  

VGS = 0V, VDS = 10V, f = 1MHz 

 

319

 

pF

Output Capacitance 

Coss  

66

 

Reverse Transfer Capacitance  

Crss  

53

 

Total Gate Charge

1,2 

Qg  

VDS = 10V, VGS = 4.5V, 

ID = 3.5A 

 

6  

nC

Gate‐Source Charge

1,2 

Qgs  

0.8

 

Gate‐Drain Charge

1,2 

Qgd  

1.8

 

Turn‐On Delay Time

1,2 

td(on)  

 

8  

nS

Rise Time

1,2 

tr 

VDS = 10V,  

 

2.5

 

Turn‐Off Delay Time

1,2 

td(off) 

ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 

 

20

 

Fall Time

1,2 

tf  

 

5  

SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 

Continuous Current 

IS  

 

 

2 

A 

Pulsed Current

3 

ISM  

 

 

8 

Forward Voltage

1 

VSD 

IF = IS, VGS = 0V  

 

1.2 

V 

1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 

2Independent of operating temperature. 

3Pulse width limited by maximum junction temperature.