2016/10/28

p.1

EMB55N03JS

G

D

S

N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

 

Product Summary: 

BVDSS 

30V 

RDSON (MAX.) 

55mΩ 

ID 

3.5A 

 

 

Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 

PARAMETERS/TEST CONDITIONS 

SYMBOL 

LIMITS 

UNIT 

Gate‐Source Voltage 

VGS 

±20 

V 

Continuous Drain Current 

TA = 25 °C 

ID 

3.5 

A 

TA = 70 °C 

2.4 

Pulsed Drain Current

1 

IDM 

14 

Power Dissipation 

TA = 25 °C 

PD 

1.04 

W 

TA = 70 °C 

0.66 

Operating Junction & Storage Temperature Range 

Tj, Tstg ‐55 to 150 

°C 

 

 

 

THERMAL RESISTANCE RATINGS 

THERMAL RESISTANCE 

SYMBOL 

TYPICAL 

MAXIMUM 

UNIT 

Junction‐to‐Ambient

3 

RJA (T ≤ 10sec)

 

83 

°C / W 

RJA (Steady State)

 

120 

1Pulse width limited by maximum junction temperature. 

2Duty cycle  1％ 

3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.