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JCS13N50C Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Part # JCS13N50C
Description  N- CHANNEL MOSFET
PDF  11 Pages
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Manufacturer  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Direct Link  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS13N50C Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS13N50C
版本：201511F
4/11
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
最大值
Value
项
目
Parameter
符
号
Symbol
JCS13N50CC JCS13N50FC
单
位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.79
2.55
℃
/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5
℃
/W
项
目
Parameter
符
号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单位
Units
开关特性 Switching –Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
td(on)
-
70 160
ns
上升时间
Turn-On rise time
tr
-
145 240
ns
延迟时间
Turn-Off delay time
td(off)
-
135 230
ns
下降时间
Turn-Off Fall time
tf
VDD=250V,ID=13A,RG=25Ω
（
note 4，5）
-
45 120
ns
栅极电荷总量
Total Gate Charge
Qg
-
27
35
nC
栅－源电荷
Gate-Source charge
Qgs
-
9
-
nC
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
Qgd
VDS =400V ,
ID=13A
VGS =10V（note 4，5）
-
12
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS
-
-
13
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
-
-
52
A
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
VSD
VGS=0V, IS=13A
-
1.5
V
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
trr
400
ns
反向恢复电荷
Reverse Recovery Charge
Qrr
VGS=0V, IS=13A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
4.3
μC
注
1：脉冲宽度由最高结温限制
注
2：L=9.0mH, IAS=13A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始
结温
TJ=25℃
注
3：ISD ≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结
温
TJ=25℃
注
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
注
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=9.0mH, IAS=13A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃
3：ISD ≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature



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