Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM50GD120DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min.

typ.

max.

Innerer Wärmewiderstand

Transistor / transistor, DC

-

-

0,35

K/W

thermal resistance, junction to case

Diode/Diode, DC

-

-

0,7

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module

λ

/

λ

-

0,02

-

K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

-

-

150

°C

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

-

125

°C

Lagertemperatur

storage temperature

-40

-

150

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

internal insulation

CTI

comperative tracking index

225

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

M1

3

6

Nm

mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminals M6

M2

Nm

terminal connection torque

Gewicht

weight

G

180

g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

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Seriendatenblatt_BSM50GD120DLC.xls