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AN4653

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DocID027438 Rev 1

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1

Cycling endurance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.1

Cycling values specified in high density EEPROM datasheets . . . . . . . . . 5

1.2

CMOS F8H process high density EEPROM cycling performances . . . . . . 5

1.2.1

Cycling and temperature dependence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.2.2

Cycling qualification method . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.2.3

Overall number of write cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.3

Cycling strategy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.3.1

Cycling strategy and application temperature profile . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.3.2

Cycling with Error Correction Code (ECC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2

Data retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.1

Data retention values specified in high density devices datasheets . . . . . 9

2.2

CMOS F8H process data retention performances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.2.1

Data retention and temperature dependence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.2.2

Data retention qualification method . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.3

Data retention strategy in the end application . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12